金屬鈉憑借低成本和高豐度等優(yōu)勢而成為最有希望代替金屬鋰的材料，但其在高電流密度下面臨著嚴(yán)重的枝晶生長問題。理解金屬鈉在不同電解質(zhì)體系中的成核與生長機理是解決該問題的關(guān)鍵，但是由于現(xiàn)存金屬鈉沉積/剝離基底的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性使得該研究十分困難。在本文中，研究人員制備了平面摻雜石墨烯基底作為模型化的金屬鈉沉積平臺來揭示結(jié)合能主導(dǎo)的金屬鈉成核-生長模式。摻雜石墨烯中的摻雜劑以及靠近摻雜的區(qū)域與鈉原子之間具有較高…