浦項科技大學的Hee Cheul Choi教授課題組通過低壓CVD實現(xiàn)了在絕緣基底（石英）上單層石墨烯的高質(zhì)量制備。他們將銅箔與犧牲層SiO2/Si進行直接的物理接觸，目標石英基底則放置在銅箔的上方，最終形成石英/銅箔/SiO2/Si“三明治”夾層結構。直接物理接觸的銅箔和犧牲層在高溫下會產(chǎn)生大量銅蒸氣，并且被捕獲在石英和犧牲層之間，以催化石墨烯在絕緣基底上的直接生長。該法生長的石墨烯具有與常規(guī)銅箔CVD法所制備晶體相當?shù)馁|(zhì)量。

該項工作通過構筑石英/銅箔/SiO2/Si的夾層結構實現(xiàn)在絕緣基底上高質(zhì)量石墨烯的直接制備，無需復雜的轉移過程。此項工作拓寬了石墨烯的應用，也開發(fā)了使用氣相催化劑直接制備納米材料的生長方法，由此成功發(fā)表在了Angew. Chem. Int. Ed.上。

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