浦項科技大學(xué)的Hee Cheul Choi教授課題組通過低壓CVD實現(xiàn)了在絕緣基底（石英）上單層石墨烯的高質(zhì)量制備。他們將銅箔與犧牲層SiO2/Si進行直接的物理接觸，目標石英基底則放置在銅箔的上方，最終形成石英/銅箔/SiO2/Si“三明治”夾層結(jié)構(gòu)。直接物理接觸的銅箔和犧牲層在高溫下會產(chǎn)生大量銅蒸氣，并且被捕獲在石英和犧牲層之間，以催化石墨烯在絕緣基底上的直接生長。該法生長的石墨烯具有與常規(guī)銅…