這里，報道了關(guān)于如何調(diào)制石墨烯晶體管的電學(xué)性質(zhì)，這反映了由2D材料和SiO2介電基板之間夾層偶極分子組成的納米厚度層的性質(zhì)。由于電場處于低溫度，偶極分子中超分子指令程度度部分提高，在晶體管的轉(zhuǎn)移曲線中出現(xiàn)了滯后現(xiàn)象可以解釋這一現(xiàn)象。用源于相同的族和適當(dāng)設(shè)計的分子與電介質(zhì)表面相互作用，滯后現(xiàn)象消失。?DFT計算證實(shí)，通過外部電場修飾的分子表現(xiàn)出多個能量最小值，這一情況解釋了觀察到的熱穩(wěn)定電容耦合作用…