高質(zhì)量石墨烯在介電基板上的直接化學(xué)氣相沉積生長為電子和光電子學(xué)中的實(shí)際應(yīng)用提供了廣闊的前景。然而，石墨烯在電介質(zhì)上的生長總是存在不均勻性和/或質(zhì)量差的問題。在此，本文首先揭示了一種新的前體修飾策略可以成功地抑制石墨烯的二次成核，從而在介電基板上形成超均勻的石墨烯單層膜。研究機(jī)理發(fā)現(xiàn)，二氧化硅基質(zhì)的羥基化削弱了石墨烯邊緣與基底之間的結(jié)合，從而實(shí)現(xiàn)了初級成核主導(dǎo)的生長?；谑┍∧さ膱鲂?yīng)晶體管顯示…