通過壓縮氮化硼和石墨烯層，研究人員能夠提高材料的帶隙，使其更接近成為當(dāng)今電子器件中可用的半導(dǎo)體材料 近日消息，由哥倫比亞大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的國際研究團(tuán)隊已經(jīng)開發(fā)出一種新技術(shù)，通過壓縮操縱石墨烯的電導(dǎo)率，使石墨烯材料更接近于成為當(dāng)今電子器件中可用的半導(dǎo)體材料。這項研究成果5月17日發(fā)表在了頂尖的科學(xué)雜志《Nature》上。 該篇文章的第一作者、哥倫比亞大學(xué)物理系博士后研究員Matthew Yankowitz說…