半導(dǎo)體所等在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新進(jìn)展
深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域，國際水俁公約的提出，促使深紫外LED的全面應(yīng)用更是迫在眉睫，但是商業(yè)化深紫外LED不到10%的外量子效率嚴(yán)重限制了深紫外LED的應(yīng)用。AlN材料質(zhì)量是深紫外LED的核心因素之一，AlN薄膜主要是通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）的方法異質(zhì)外延生長在c-藍(lán)寶石、6H-SiC和Si（111）襯底上，AlN與襯底之間存在較大的晶格失配與熱失配，…