我們提出了一個二維等離子體平臺-周期性圖案化的單層石墨烯-它承載拓撲單向邊緣狀態(tài)，可在紅外頻率下工作。我們在靜磁場引起的時間反轉-對稱破缺下對該等離子體系統的能帶拓撲進行了分類。在有限摻雜時，系統支持拓撲非平凡帶隙，中間隙頻率高達數十太赫茲。 通過體邊緣對應，這些帶隙承載拓撲保護的單向邊緣等離子體，其不受結構缺陷的后向散射的影響，并且僅受固有材料和輻射損失的影響。 我們的研究結果揭示了一種有前景的方法來設計拓撲穩(wěn)健的手征等離子體裝置，并展示了高頻拓撲邊緣狀態(tài)的現實例子。

圖1.磁致T斷裂下的二維拓撲等離子體晶體圖譜。

圖2.材料特性圖譜。

該工作已經發(fā)表于Phys. Rev. Lett.上了。（加州大學伯克利分校張翔課題組，Phys. Rev. Lett. 118, 245301 – Published 16 June 2017）