金屬鈉憑借低成本和高豐度等優(yōu)勢而成為最有希望代替金屬鋰的材料，但其在高電流密度下面臨著嚴(yán)重的枝晶生長問題。理解金屬鈉在不同電解質(zhì)體系中的成核與生長機(jī)理是解決該問題的關(guān)鍵，但是由于現(xiàn)存金屬鈉沉積/剝離基底的結(jié)構(gòu)復(fù)雜性使得該研究十分困難。在本文中，研究人員制備了平面摻雜石墨烯基底作為模型化的金屬鈉沉積平臺(tái)來揭示結(jié)合能主導(dǎo)的金屬鈉成核-生長模式。摻雜石墨烯中的摻雜劑以及靠近摻雜的區(qū)域與鈉原子之間具有較高的結(jié)合能，提供了豐富的鈉沉積位點(diǎn)并有助于均勻地沉積于剝離。

Xiaofei Hu et al,?Nip the Sodium Dendrites in the Bud on Planar Doped Graphene in Liquid/Gel Electrolytes

DOI:?https://doi.org/10.1002/adfm.201807974

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.201807974