在改進(jìn)過的氮化鋁(AlN)/石墨烯復(fù)合襯底上生長可轉(zhuǎn)移GaN外延層。本研究采用基于密度泛函理論的第一性原理計算方法進(jìn)行理論計算，進(jìn)一步研究了石墨烯上AlN的形成機(jī)理。AlN通過其最佳成核位點(diǎn)選擇性地在石墨烯上生長，從而導(dǎo)致AlN通過準(zhǔn)范德華外延在石墨烯上選擇性成核。因此，利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積的時間分布和恒壓生長方法，在石墨烯和GaN之間創(chuàng)新性地插入了AlN復(fù)合成核層。此外，通過克服石墨烯與外延…