近日,澳大利亞阿德萊德大學(xué)喬世璋教授課題組報(bào)道了層間距可調(diào)控的富氮薄層石墨烯(N-FLG),通過石墨烯擴(kuò)層實(shí)現(xiàn)了鈉離子的高效存儲(chǔ)。作者以三聚氰胺為原料合成g-C3N4,再以此為富氮前驅(qū)體在金屬鋅的輔助下高溫煅燒制備N-FLG。研究發(fā)現(xiàn),改變煅燒溫度(T = 700、800、900 °C)能夠調(diào)控N-FLG-T的層間距。通過HRTEM可以看出,N-FLG-700、N-FLG-800、N-FLG-900的層間距分別為0.45、0.51、0.49 nm。借助XPS技術(shù)分析了各樣品的含氮量及其摻氮構(gòu)型,進(jìn)一步將樣品的層間距和不同摻氮構(gòu)型進(jìn)行關(guān)聯(lián),發(fā)現(xiàn)只有吡咯氮的含量與石墨烯層間距成正相關(guān)。這是由于吡咯氮的孤對(duì)電子垂直于石墨烯平面,具有更大的靜電斥力來拓展石墨烯層間距。
圖1. (a)N-FLG-T的合成示意圖;(b–d)N-FLG-T的HRTEM圖;(e–g)N-FLG-T的層間距與不同摻氮構(gòu)型的相關(guān)曲線。
作為鈉離子電池負(fù)極材料,N-FLG-T的電化學(xué)性能與其層間距密切相關(guān)。其中,N-FLG-800具有最大的層間距,表現(xiàn)出最佳的鈉離子存儲(chǔ)性能,其倍率性能(264.3 mAh/g @ 0.1 A/g – 56.6 mAh/g @ 40 A/g)和循環(huán)穩(wěn)定性(211.3 mAh/g ?@ 0.5 A/g @ 2000th?cycle)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了N-FLG-700和N-FLG-900以及目前報(bào)道的絕大多數(shù)碳負(fù)極材料。優(yōu)化后的石墨烯不僅能夠提供足夠的層間距加速鈉離子的可逆脫嵌,而且能夠通過表面電容行為提高鈉離子存儲(chǔ)容量。該研究為碳基鈉離子電池負(fù)極材料的合理設(shè)計(jì)和制備提供了新的思路。
圖2. (a)N-FLG-T的倍率性能; (b)N-FLG-800在不同掃速下的贗電容貢獻(xiàn)百分比;(c)N-FLG-T的循環(huán)穩(wěn)定性。
這一成果近期發(fā)表在Advanced Materials?上,文章的第一作者是劉金龍博士,通訊作者為喬世璋教授。
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