Figure 1.?石墨烯轉(zhuǎn)移到Au涂覆石英基底上的表征。(a)SLG薄膜的Raman譜,(b-c)轉(zhuǎn)移的明顯裸露Au表面的光學(xué)圖片,(d)石墨烯薄膜的邊緣和表面原子力顯微鏡圖。
Figure 2.(a)有/無SLG涂覆的電極電容實部與虛部,在EMITFSI電解液中,施加電壓為0.2?V?(相對于ref),插圖呈現(xiàn)了相應(yīng)的等效電路圖,(b)Au涂覆石英共振器支撐SLG的CEDL?SLG?Ewe曲線。
Figure 3.?在EMITFSI電解液中,Au基底支撐SLG極化期間的(a)CV和EQCM頻率響應(yīng)和(b)電極質(zhì)量變化(相對于電荷),其中掃速為50?mV?s-1,插圖顯示了極化期間的離子通量?,紅色代表EMI+陽離子,藍(lán)色代表自由TFSI-陰離子,陰影處代表正電荷離子種類。
該研究工作由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)Yanwu Zhu課題組于2019年發(fā)表在JACS國際頂級期刊上。原文:Charge Storage Mechanisms of Single-Layer Graphene in Ionic?Liquid(DOI: 10.1021/jacs.9b07134)。
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