石墨烯在IGBT熱管理中的應(yīng)用技術(shù)進(jìn)展

黃濤、何朋、丁古巧石墨烯材料和應(yīng)用聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所上海烯望材料科技有限公司

一、IGBT熱管理前言

在現(xiàn)代社會(huì)，基于功率轉(zhuǎn)化器的電力電子系統(tǒng)已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、家庭控制和轉(zhuǎn)換電能。電力電子系統(tǒng)的廣泛使用為現(xiàn)代電動(dòng)汽車、火車、自動(dòng)化制造系統(tǒng)、發(fā)電等帶來便利和更高的能源使用效率。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在內(nèi)的功率半導(dǎo)體器件以其優(yōu)異的性能、低成本、高可靠性、低重量和尺寸等特點(diǎn)主導(dǎo)著功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)。預(yù)計(jì)IGBT市場(chǎng)將在2014年至2020年內(nèi)蓬勃發(fā)展，到2020年全年收入在66億美元左右，在純電動(dòng)與混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV/HEV）、太陽能電池/光伏可再生能源（PV）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)（Motors）、軌道牽引（Rail）、不間斷電源（UPS）、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等部分的復(fù)合收益年增長(zhǎng)率達(dá)到10%（圖1）。

IGBT技術(shù)的快速發(fā)展體現(xiàn)在芯片功率密度的提高、芯片的運(yùn)行速度越來越高以芯片封裝密度也越來越緊湊。通常，需要更復(fù)雜和體積更大的冷卻解決方案。近三十年來，IGBT技術(shù)的進(jìn)步和工業(yè)應(yīng)用的發(fā)展趨勢(shì)主要是由運(yùn)行溫度、效率、尺寸、可靠性和成本這五個(gè)方面相互影響驅(qū)動(dòng)的。如圖2所示，一方面IGBT的功率密度從最初的35 kW/cm2提高到250 kW/cm2，這得益于創(chuàng)新的組裝和互聯(lián)技術(shù)。但是相應(yīng)的，由于高電壓和高電流，總散熱也在不斷增加。另一方面，電力電子器件的長(zhǎng)期穩(wěn)定使用是滿足日常要求的重要因素之一，目前常見的失效原因有襯板連接處的熱疲勞、機(jī)械震動(dòng)、潮濕導(dǎo)致化學(xué)腐蝕等等，其中熱疲勞最為常見（圖3）。（IEEE Access, 2018, 1, 1）

今天，典型的商用IGBT能量輸出達(dá)到了超過一萬瓦的極高值。在未來，半導(dǎo)體行業(yè)有望隨著新的發(fā)展不斷提高IGBT的功率輸出，同樣的，冷卻技術(shù)也會(huì)隨著IGBT的發(fā)展帶來新的巨大挑戰(zhàn)。因此，實(shí)現(xiàn)良好的熱管理是保證IGBT可靠使用的當(dāng)務(wù)之急。

二、IGBT散熱模式介紹

1.器件基本結(jié)構(gòu)介紹

目前常見的IGBT封裝整體圖示如圖4所示：通常IGBT器件有一個(gè)頂板，它覆蓋和保護(hù)芯片，一般使用柔性高分子進(jìn)行封裝，大部分頂板材料熱導(dǎo)率很低，因此主要散熱組件安裝在芯片下，將IGBT芯片與二極管芯片利用直接覆銅(Direct Bond Copper: DBC)的焊層焊在一起，DBC下通常存在一個(gè)約為300毫米厚的熱傳導(dǎo)層（目前以氧化鋁或氮化鋁為主，用于降低熱阻），之后再負(fù)載到一層DBC上，形成三明治結(jié)構(gòu)。然后，將這種三明治硬焊在基板（一般為銅）上，當(dāng)器件散熱時(shí)，厚的銅基板可以提高熱流；基板之后又固定在熱沉結(jié)構(gòu)上（又稱之為擾流柱），熱沉結(jié)構(gòu)具有很高的表面積，可以向周圍環(huán)境傳遞熱量。散熱器與基板之間的熱接觸由熱脂、膏體或其他散熱器復(fù)合物粘合，這層材料稱之為熱界面材料（Thermal Interfacial Materials: TIM）。襯底層確保基板與有源元件電絕緣，有源元件是為頂部連接操作而單獨(dú)連接的。在芯片、DBC 襯板、底銅板這三大結(jié)構(gòu)中，DBC 襯板最為重要，因?yàn)?DBC 襯板提供芯片及元器件間的有效互連與模塊的機(jī)械支撐，是整個(gè)模塊的基礎(chǔ)，而對(duì)于具有“上銅層-陶瓷層-下銅層”三層結(jié)構(gòu) DBC 襯板而言，中間的陶瓷基板層至關(guān)重要。其主要作用包括：1）較高的電阻率用于隔離電路；2）導(dǎo)熱系數(shù)大，有利于使電力電子器件釋放的熱量從模塊中傳導(dǎo)出去；3）熱膨脹與其他材料匹配，防止出現(xiàn)熱情況下的器件損壞。

上述所說的熱界面材料也是目前IGBT散熱最廣泛的研究方向之一。當(dāng)熱流從芯片傳導(dǎo)到下層擾流柱都會(huì)經(jīng)過熱油脂（最常見的TIM），美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室Sreekant Narumanchi等人通過理論計(jì)算，發(fā)現(xiàn)TIM在熱阻為5 mm2?K/W時(shí)(熱導(dǎo)率200W/mK)，TIM不再是熱傳導(dǎo)的瓶頸，而熱阻較大時(shí)，則會(huì)阻礙IGBT的散熱性能。（Conference on Thermal & Thermomechanical Phenomena in Electronic Systems. IEEE, 2008.）

目前商業(yè)用的熱界面材料如表1中的幾種，其中熱導(dǎo)率或者熱阻率為其主要比較參數(shù)，可以看到目前大部分商業(yè)用導(dǎo)熱油脂熱阻都在6 mm2K/W以上，目前Thermaxtec公司h以硅油高純熱導(dǎo)顆粒作為導(dǎo)熱材料具有6.0 mm2K/W的熱阻率，但是其單位價(jià)格偏高1.2美元/g，而Shinestu公司用鋁，氧化鋅等熱導(dǎo)納米顆粒為主的導(dǎo)熱硅油具有6.3 mm2K/W的熱阻率，且價(jià)格相對(duì)較低0.9美元/g。因此發(fā)展低熱阻的高效TIM也是目前最具有商業(yè)應(yīng)用價(jià)值的方向之一。

2.常見的器件冷卻方式

IGBT的被動(dòng)冷卻方式多種多樣，其中空氣冷卻是最簡(jiǎn)單、可靠、成本較低的一種。通常情況下，為了適應(yīng)應(yīng)用，高導(dǎo)熱系數(shù)的大塊材料（如鋁或銅）被支撐散熱片陣列或其他擠壓表面被用來在模具和環(huán)境之間交換熱量。被動(dòng)冷卻還包括更復(fù)雜的相變和自然對(duì)流系統(tǒng)。使用這些復(fù)雜的無源系統(tǒng)是為了降低IGBT和環(huán)境之間的熱阻。大多數(shù)被動(dòng)冷卻解決方案選擇空氣冷卻方案，通過將IGBT內(nèi)部熱源的熱量輸送到表面，通過空氣對(duì)流帶走熱量（圖5），從而將熱量釋放到環(huán)境中。固體材料與空氣的熱交換主要取決于接觸面積。當(dāng)熱擴(kuò)散面積小，交換散熱量小時(shí)，終端散熱器與環(huán)境之間會(huì)出現(xiàn)瓶頸。散熱器的設(shè)計(jì)不僅取決于設(shè)計(jì)本身，還取決于材料本身，材料需要滿足低成本、低密度、高導(dǎo)熱、高表面積等。

還有許多單相或兩相的液體冷卻解決方案，包括微通道散熱器冷卻方案、噴霧冷卻方案、射流沖擊冷卻方案等，能夠?yàn)镮GBT提供非常高的傳熱系數(shù)和低的熱阻。芯片損耗產(chǎn)生的大部分熱量通過芯片下表面的方向從芯片底部散發(fā)到散熱器。在這樣的散熱路徑中，絕緣基板和熱脂的熱阻相對(duì)較大。由于熱耗散受到模塊接觸部分和散熱器的限制，即使模塊本身的熱阻很小，也很難實(shí)現(xiàn)小型化。因此，直接冷卻結(jié)構(gòu)已被廣泛應(yīng)用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的間接冷卻方式。與圖6A所示的間接冷卻結(jié)構(gòu)相比，直接冷卻結(jié)構(gòu)（圖6B）拋棄了基板和附著的熱潤(rùn)滑脂。一些論文發(fā)現(xiàn)IGBT的熱性能通過直接冷卻得到了明顯改善。與傳統(tǒng)的間接液體冷卻方式相比，直接冷卻方式可以減少高達(dá)30%的熱阻。（IEEE Access, 2018, 1, 1）

三、石墨烯應(yīng)用于IGBT散熱

石墨烯用于IGBT的優(yōu)勢(shì)是橫向?qū)嵝阅芨?，缺點(diǎn)是c軸方向?qū)嵝阅懿?。另外IGBT的散熱是一個(gè)系統(tǒng)工程，石墨烯用于不同部位/部分（Chip, DCB，Base Plate, heat sink以及這些部位的界面）所起的作用是不一樣的，對(duì)石墨烯的要求也不一樣。比如用于Base Plate或heat sink只需將石墨烯和銅、鋁進(jìn)行結(jié)合，可以做復(fù)合材料，也可以做表面原位生長(zhǎng)石墨烯，或者表面涂覆石墨烯等。但如果作為界面使用，需要將石墨烯復(fù)合到現(xiàn)有界面材料配方中，或重新設(shè)計(jì)配方。所以石墨烯在IGBT中的應(yīng)用絕不是萬金油，也不是狗皮膏藥，需要針對(duì)性地開發(fā)。烯望科技已經(jīng)進(jìn)行了一些實(shí)驗(yàn)嘗試，但因?yàn)橹皩?duì)IGBT系統(tǒng)的了解不夠，效果一般，還需要繼續(xù)努力。現(xiàn)將已經(jīng)公開的相關(guān)文獻(xiàn)結(jié)果整理如下：

1.石墨烯用于增強(qiáng)次要途徑散熱

在IGBT 器件的傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)中，芯片上局部熱點(diǎn)的熱量主要通過自上而下傳輸?shù)礁层~陶瓷基板，再到外基板，進(jìn)而通過熱沉散發(fā)到環(huán)境中。熱量從芯片向上通過封裝樹脂及外殼散發(fā)到環(huán)境中是次要熱傳導(dǎo)路徑， 由于封裝樹脂的導(dǎo)熱系數(shù)較低， 次要路徑的熱傳導(dǎo)速度較慢，熱量大部分從主要路徑傳出。石墨烯膜/涂層，則可以增強(qiáng)次要途徑，從而提高整體的傳熱效率，導(dǎo)熱率要求越高越好。2015年在《先進(jìn)功能材料》上發(fā)表的使用抽濾的利用接枝進(jìn)行表面改性的石墨烯膜（F-GF）放置在芯片表面散熱，能夠很好地降低芯片溫度。（Adv. Funct. Mater. 2015, 25, 4430）隨后，在2018年第19屆電子封裝技術(shù)國(guó)際會(huì)議(ICEPT)會(huì)議論文上有人指出，經(jīng)過理論計(jì)算，直接正面放置于IGBT芯片表面并不能很好的進(jìn)行散熱，這是由于雖然石墨烯膜橫向方向上的散熱效率很高，但是其縱向方向上熱導(dǎo)率較低，無法實(shí)現(xiàn)很好的散熱效率，應(yīng)將石墨烯側(cè)面貼近IGBT芯片，從而進(jìn)行側(cè)面散熱。（2018 19th International Conference on Electronic Packaging Technology (ICEPT), Shanghai, 2018, pp. 585-588）2019年，黃山大學(xué)本文建立了一個(gè)單管IGBT器件的三維模型來模擬溫度場(chǎng)的分布,研究了石墨烯基薄膜(GBF)不同納米和微米厚度對(duì)IGBT器件散熱性能的影響。仿真結(jié)果表明，GBF作為一種熱分布器放置在芯片表面，可以改善局部熱點(diǎn)的側(cè)向散熱，具有較高的熱流密度，可以大幅降低芯片表面的最高溫度。此外，微米厚度的石墨烯基薄膜比納米厚度的石墨烯基薄膜具有更好的散熱性能。（AIP Advances 2019, 9, 035103）

2.石墨烯用于DBC夾層降低熱阻

正如本文上述，DBC覆銅板在整個(gè)IGBT的散熱中扮演著非常重要的角色，不僅有利于熱點(diǎn)的熱效應(yīng)擴(kuò)散以及熱傳遞，也有利于IGBT結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定，因此提高DBC層的熱導(dǎo)或降低其熱阻具有重要的意義。有報(bào)道利用石墨烯增加到原有DBC層中間形成過渡層。(Thermal characterization of power devices using graphene-based film. Electronic Components & Technology Conference. IEEE, 2014.) GO抽膜后進(jìn)行表面接枝改性與銅進(jìn)行結(jié)合，制備出低熱阻的DBC，相比于純銅/純銅界面的756 mm2K/W熱阻與純銅/石墨烯界面482 mm2K/W熱阻，利用接枝改性能夠降低熱阻到98.7 mm2K/W。但是該文未考慮到DBC板在受熱時(shí)的熱膨脹系數(shù)匹配問題，一旦兩者不匹配將會(huì)導(dǎo)致IGBT整體結(jié)構(gòu)的破壞。在專利《CN201920319513.7 石墨烯基IPM模塊的先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)》中，將還原氧化石墨烯貼裝到覆銅陶瓷基板的上銅層表面，同時(shí)在下覆銅陶瓷基板的上銅層表面用化學(xué)氣相沉積法生長(zhǎng)石墨烯薄膜得到石墨烯改性的DBC板，發(fā)揮其橫向高導(dǎo)熱能力，降低芯片工作時(shí)的最高溫度，從而提升模塊的使用壽命。

3.石墨烯用于熱界面材料增強(qiáng)

熱源和散熱器表面粗糙度形成的界面阻力限制了有效傳熱，在熱源和散熱器的兩個(gè)固體接觸面之間插入熱界面材料是提高器件熱去除率的有效方法。傳統(tǒng)的導(dǎo)熱脂、導(dǎo)熱墊、相變材料等均由基體材料和導(dǎo)熱填料組成。基質(zhì)材料通常是硅脂或聚合物，導(dǎo)熱填料通常是金屬(如銀、銅或鋁)或陶瓷(例如:氧化鋁、氧化鋅或氮化硼)。石墨烯作為二維碳材料來說，比較容易與高分子進(jìn)行復(fù)合，同時(shí)可以作為導(dǎo)熱通路實(shí)現(xiàn)較高的熱導(dǎo)率，同時(shí)石墨烯具有超高的比表面積，能夠減小添加量提高增強(qiáng)效率，利用石墨烯提高聚合物復(fù)合材料的熱界面材料迅速成為全球研究的熱點(diǎn)。

通常石墨烯熱界面材料有幾種制備方法，包括溶液混合法、熔融混合以及原位聚合法等，其增強(qiáng)原理包括：1）達(dá)到石墨烯填料閾值后，石墨烯作為主要導(dǎo)熱介質(zhì)；2）通過功能化、共價(jià)改性或非共價(jià)改性等方法減少石墨烯與高分子界面間隙，提高石墨烯與高分子的熱傳導(dǎo)。目前很多報(bào)道的文獻(xiàn)表明，石墨烯雖然作為填料可以提高原來體系的熱導(dǎo)率，但是仍然無法滿足熱導(dǎo)率高于5W/mK的要求，使得石墨烯在廣泛的商業(yè)應(yīng)用中與傳統(tǒng)材料相比優(yōu)勢(shì)不大。盡管石墨烯填充聚合物復(fù)合材料的研究在熱管理領(lǐng)域取得了許多驚人的進(jìn)展，然而，仍有一些挑戰(zhàn)需要克服，未來還需要做進(jìn)一步的研究。首先，石墨烯材料和石墨烯填充聚合物復(fù)合材料的高價(jià)格是阻礙其快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用的主要瓶頸。發(fā)展更有效、更低成本以及環(huán)境友好的合成方法是一項(xiàng)艱巨的挑戰(zhàn)。其次，由于實(shí)際的改善程度遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于預(yù)期，如何對(duì)石墨烯進(jìn)行改性以進(jìn)一步改善TIMs仍是未來工作的重點(diǎn)。最后，改善TIMs還需要滿足界面粘合、熱膨脹匹配等一系列要求。（Macromol. Mater. Eng. 2017, 302, 1700068）

4.石墨烯/金屬用于熱膨脹匹配

高功率IGBT的穩(wěn)定性、壽命以及安全性都是發(fā)展新復(fù)合材料的基本要求，在IGBT長(zhǎng)期使用中，溫度升高會(huì)引起材料的熱膨脹，若各層材料之間物性不匹配，則會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的分層或損壞。石墨烯可用于調(diào)節(jié)材料熱膨脹系數(shù)。為了消除材料之間熱膨脹系數(shù)差異（Coefficient of Thermal Expansion: CTM），臺(tái)灣國(guó)立清華大學(xué)納米工程與微系統(tǒng)研究所開發(fā)了一種石墨烯/銅的復(fù)合材料，將球磨后得到的納米石墨烯薄片進(jìn)行電鍍銅的工藝操作，得到石墨烯/Cu的復(fù)合粉體，保證其片狀結(jié)構(gòu)，再將其與純銅進(jìn)行復(fù)合擠出成型，得到具有低CTM的導(dǎo)熱石墨烯/銅復(fù)合產(chǎn)物，其CTM值在0.2%石墨烯摻入下僅有5.3 ppm/K，且并未影響其復(fù)合材料的熱導(dǎo)率（其熱導(dǎo)率仍然具有390W/mK），因此能夠大大提高IGBT模塊的使用壽命。（Materials Transactions 2018, 59, 1677-1683）

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