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東北師大劉益春&楊國春J. Am. Chem. Soc. : 具有直接帶隙和各向異性載流子遷移率的二維PC6材料

【引言】

石墨烯和磷烯是兩種具有不同結(jié)構(gòu)和奇特性質(zhì)的二維材料,其性質(zhì)分別源于石墨烯中的sp2鍵和磷烯中的非平面sp3鍵。碳或磷原子的三配位構(gòu)型有利于平面結(jié)構(gòu)的形成。因此,探索是否有可能形成能夠使石墨烯和磷烯優(yōu)勢互補的穩(wěn)定磷化硅(PC)單層是十分有意義的。實際上,從理論上已經(jīng)提出了幾種表現(xiàn)出金屬、半金屬和直接/間接帶隙半導(dǎo)體特征的PC單層。多種不同結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)可歸因于sp2和sp3鍵之間的競爭。隨后,通過將碳原子摻雜到磷烯中的實驗證實了預(yù)測的α1-PC相。值得注意的是,含有少層PC的 FET具有高達1995 cm2·V-1·s-1的空穴遷移率,與理論計算一致。此外,由少層PC制成的紅外光電晶體管表現(xiàn)出良好的響應(yīng)性和探測性能??紤]到P和C原子之間的電子接受能力、不同的P-C構(gòu)型以及其化合物中的強P-C鍵,很有可能形成具有優(yōu)越性能的二維 PxCy材料。

【成果簡介】

近日,東北師范大學(xué)劉益春教授、楊國春教授(共同通訊作者)等利用第一性原理無偏結(jié)構(gòu)搜索計算探索具有功能特性的新型類石墨烯PC6單層,并在J. Am. Chem. Soc.上發(fā)表了題為“Two-Dimensional PC6?with Direct-Band Gap and Anisotropic Carrier Mobility”的研究論文。PC6單層是直接帶隙半導(dǎo)體,帶隙值為0.84 eV,具有極高的本征導(dǎo)電性和各向異性特征(即沿扶手椅鏈方向的電子遷移率為2.94 × 105?cm2·V-1·s-1,而沿“Z”字形鏈方向的空穴遷移率達到1.64 × 105?cm2·V-1·s-1),與石墨烯相當(dāng)。另一方面,PC6在300至2000 nm的寬帶中具有高吸收系數(shù)(105?cm-1)。另外,其在5 %的雙軸應(yīng)變以內(nèi)仍可保持直接帶隙特征。上述優(yōu)越性質(zhì)使預(yù)測的PC6單層有望在電子和光伏器件中得到應(yīng)用。

【圖文簡介】

圖1?PC6單層的原子結(jié)構(gòu)

東北師大劉益春&楊國春J. Am. Chem. Soc. : 具有直接帶隙和各向異性載流子遷移率的二維PC6材料

a, b)預(yù)測PC6單層的頂視圖和側(cè)視圖,黑色虛線表示晶胞;

c) PC6單層中的基本構(gòu)筑單元(P6C18);

d, f, g) PC6單層的電子局域函數(shù)(ELF)圖像,PC6中C6環(huán)中的化學(xué)鍵與石墨烯(d和e)中的化學(xué)鍵相同,并且在P原子周圍出現(xiàn)孤電子對(g);

e) 石墨烯的電子局域函數(shù)(ELF)圖像。

圖2 PC6單層的能帶結(jié)構(gòu)

東北師大劉益春&楊國春J. Am. Chem. Soc. : 具有直接帶隙和各向異性載流子遷移率的二維PC6材料

a) 用HSE06方法計算PC6單層的電子能帶結(jié)構(gòu),水平虛線表示費米能級;

b) C6環(huán)中的C原子和PC3單元中的P和C原子的PDOS;

c,d) VBM分解電荷密度的頂視圖和側(cè)視圖;

e,f) CBM分解電荷密度的頂視圖和側(cè)視圖。

圖3 PC6單層的面內(nèi)吸收系數(shù)

東北師大劉益春&楊國春J. Am. Chem. Soc. : 具有直接帶隙和各向異性載流子遷移率的二維PC6材料

BSE方法計算的PC6單層的面內(nèi)吸收系數(shù),黃色背景為參考的太陽光譜輻射。便于比較,石墨烯、二硫化鉬、磷烯、PC單層和體相硅的吸收譜也包含在內(nèi)。

【小結(jié)】

綜上所述,作者應(yīng)用第一性原理集群智能結(jié)構(gòu)搜索計算來預(yù)測迄今尚未發(fā)現(xiàn)的褶皺類石墨烯半導(dǎo)體PC6單層,其直接帶隙為0.84 eV,具有高載流子遷移率和各向異性特征,可有效地隨應(yīng)變調(diào)節(jié)。由于其獨特的鍵排列(即C-C sp2和P-C sp3雜化),PC6單層表現(xiàn)出高內(nèi)聚能和出色的熱穩(wěn)定性,為其實驗合成提供了很高的可能性。上述優(yōu)越性質(zhì)使預(yù)測的PC6單層有望在光電子器件中得到應(yīng)用。

文獻鏈接:Two-Dimensional PC6?with Direct-Band Gap and Anisotropic Carrier Mobility?(J. Am. Chem. Soc., 2019, DOI: 10.1021/jacs.8b11350)

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