浦項(xiàng)科技大學(xué)的Hee Cheul Choi教授課題組通過低壓CVD實(shí)現(xiàn)了在絕緣基底（石英）上單層石墨烯的高質(zhì)量制備。他們將銅箔與犧牲層SiO2/Si進(jìn)行直接的物理接觸，目標(biāo)石英基底則放置在銅箔的上方，最終形成石英/銅箔/SiO2/Si“三明治”夾層結(jié)構(gòu)。直接物理接觸的銅箔和犧牲層在高溫下會(huì)產(chǎn)生大量銅蒸氣，并且被捕獲在石英和犧牲層之間，以催化石墨烯在絕緣基底上的直接生長。該法生長的石墨烯具有與常規(guī)銅箔CVD法所制備晶體相當(dāng)?shù)馁|(zhì)量。

該項(xiàng)工作通過構(gòu)筑石英/銅箔/SiO2/Si的夾層結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)在絕緣基底上高質(zhì)量石墨烯的直接制備，無需復(fù)雜的轉(zhuǎn)移過程。此項(xiàng)工作拓寬了石墨烯的應(yīng)用，也開發(fā)了使用氣相催化劑直接制備納米材料的生長方法，由此成功發(fā)表在了Angew. Chem. Int. Ed.上。

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